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本文提出一种高电源抑制比、低温漂和版图面积较小的CMOS带隙基准电压源。该基准采用T型结构的核心电路来减小电路中用来产生负温度系数电流的电阻,进而减小电路的版图面积。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,设计的电路只采用一阶温度补偿,在Cadence Spectre环境下仿真结果表明在0-100℃的范围内温漂系数为1.4ppm/℃。
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中国集成电路
ISSN： 1681-5289
Year： 2014
Issue： 5
Volume： 23
Page： 53-57
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