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随着半导体工业的发展,上世纪九十年代在深亚微米半导体工艺中开始应用的铜互连线技术取代了传统的铝布线工艺。在铜的电沉积过程中,添加剂的种类及其相互作用是实现高深宽比微道无空洞、无缝隙,即超等厚填充的关键。本文主要就国内外半导体芯片铜线工艺中添加剂作用的研究工作和反应机理进行了综述。
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Year： 2007
Page： 112-119
Language： Chinese
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