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采用丝网印刷法制备碳纳米管场发射阴极并进行磁场辅助热处理,研究磁场辅助处理碳纳米管阴极的场发射性能.未进行磁场处理的场发射阴极的开启场强较大,为1.50V/μm,场增强因子β较小,约为5256;磁场处理过的碳纳米管场发射阴极的开启场强约为0.86V/μm,场增强因子约为12901.实验结果表明,磁场辅助热处理可以改善碳纳米管在阴极表面的直立分布形态,有利于提高碳纳米管阴极的场发射性能.
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Year： 2013
Page： 717-720
Language： Chinese
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