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郑端端 (郑端端.) [1] | 陈为 (陈为.) [2] (Scholars:陈为)

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CQVIP CSCD

Abstract:

磁元件在各种功率变换器中一直有着不可替代的作用,如电感在电路中起到储能、滤波等作用,并且其体积占据的比重也较大,因此磁元件的优化设计备受关注,永磁体偏磁技术的出现为其开辟了一条新的途径.永磁体偏磁技术不仅可以提高磁元件的抗饱和能力,也有助于减小磁元件的体积.针对现有偏磁方案的不足,以Boost电感为例,建立电感的磁路模型进行分析,得到电感各个磁路上的参数设计要求,防止磁芯退磁,提高电感元件工作的稳定性,最终设计出新型的偏磁方案模型.对比几种优化结构,采用钕铁硼作为永磁体材料,用高饱和磁密的磁芯材料把永磁体和电感磁芯隔离开,避免局部饱和,并且当支路磁芯体积较大、永磁体夹在两个支路磁芯中间时,该结构的效果较好.同时还对引入短路环进行损耗分析.当下功率变换器不断朝着轻量化、小型化、高功率密度化方向发展,永磁体预偏磁技术为其增加了更多的可能性.

Keyword:

局部饱和 损耗分析 永磁体 磁元件

Community:

  • [ 1 ] [郑端端]福州大学
  • [ 2 ] [陈为]福州大学

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Source :

电源学报

ISSN: 2095-2805

CN: 12-1420/TM

Year: 2019

Issue: 4

Volume: 17

Page: 73-79

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