Zn(O,S)　is　an　attractive　alternative　to　CdS　as　a　buffer　layer　of　Cu2ZnSnS4　(CZTS)-based　solar　cell　due　to　its　higher　bandgap　and　environmental　friendliness.　In　this　work,　CZTS　solar　cell　with　a　structure　of　CZTS/Zn(O,S)/Al:ZnO　was　simulated　by　Solar　Cell　Capacitance　Simulator　(SCAPS).　The　impacts　of　thickness　and　acceptor　concentration　of　CZTS,　thickness　and　donor　concentration　of　Zn(O,S)　and　operating　temperature　on　the　performance　of　CZTS　solar　cells　were　investigated.　It　has　been　obtained　that　the　optimum　thickness　of　CZTS　is　between　2000　and　3000　nm　and　that　of　Zn(O,S)　is　about　50　nm.　The　suitable　doping　concentrations　of　CZTS　and　Zn(O,S)　layers　are　around　10(16)　and　10(17)　cm(-3),　respectively.　The　temperature　coefficient　of　efficiency　is　about　-0.023　%/K　in　the　CZTS　solar　cell.　All　these　simulation　results　will　provide　some　important　guidelines　for　fabricating　high　efficient　CZTS　solar　cells.