以超高密度Cu/Sn微凸点和Cu/SnAg微凸点为研究对象，采用COMSOL软件建立仿真模型，研究了不同焊料凸点高度对键合可靠性的影响；采用电镀法制备Cu/Sn凸点阵列和Cu/SnAg凸点阵列，重点对界面处金属间化合物（Intermetallic　compounds,　IMC）进行研究。结果表明，Cu/SnAg凸点高度的增加有利于降低凸点键合界面应力，从而提高芯片键合可靠性。金属凸点尺寸越小，界面处金属间化合物生长越快，空洞数量越多。雾锡凸点的晶粒尺寸大于亮锡凸点，而且晶界数量较少，使得凸点界面上IMC的生长速度较慢。因此，雾锡凸点能够有效减少凸点界面空洞的形成，SnAg合金替代纯锡材料可以进一步减少凸点界面空洞的形成。通过优化工艺条件，成功制备出点间距为8μm，像素阵列为1　920×1　080的超高密度Cu/SnAg金属凸点。