Abstract：
氧化镓(Ga2O3)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求.但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难.基于此,本文提出采用p-NiO/n-Ga2O3异质结所构成的结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky,JBS),并与场板(Field Plate,FP)及阶梯型终端(Mase)进行复合,以提升其性能.为了对器件设计及制备提供理论指导,应用TCAD仿真软件对其进行了仿真研究.研究发现,与基础肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,采用复合终端的SBD的击穿电压由887 V增加至3 069 V,同时正向导通电阻由3.975 mΩ·cm2略微增加至5.395 mΩ·cm2.此外,本文探讨了 p-NiO掺杂浓度和厚度对器件性能的影响.结果证明,复合终端结构有效改善了器件的反向击穿性能,并且为器件性能的优化提供了理论指导.
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功能材料与器件学报
ISSN： 1007-4252
Year： 2025
Issue： 1
Volume： 31
Page： 56-63
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