为改善振荡器相位噪声性能,设计了一种带有尾电流源反馈的薄膜体声波谐振器(FBAR)振荡器.研究表明,尾电流源晶体管闪烁噪声和谐振回路是振荡器相位噪声的主要来源.为了降低尾电流源晶体管闪烁噪声对振荡器相位噪声的影响,采用两组对称分离且工作在亚阈值区域的P型金属氧化物半导体(PMOS)偏置电流源进行尾电流反馈.与传统单个尾电流源相比,该技术具有更好的相位噪声性能.同时,基于对Hajimiri噪声模型的分析,利用尾电流源反馈技术,控制振荡器在振幅达到峰值及零穿越点时的电流大小,以进一步改善相位噪声性能.高Q值谐振器可以显著提高振荡器的整体相位噪声性能,因此,设计采用高Q值微机电系统(MEMS)器件FBAR作为谐振腔,并通过TSMC　180　nm　RF　CMOS工艺完成电路设计.结果表明:该振荡器输出频率为1.93　GHz,整体电路功耗为580　μW,在1　kHz偏频处相位噪声为-89.7　dBc/Hz,计算得到灵敏值(Factor　Of　Merit,FOM)为　217dB.