为改善振荡器相位噪声性能，设计了一种带有尾电流源反馈的薄膜体声波谐振器（FBAR）振荡器。研究表明，尾电流源晶体管闪烁噪声和谐振回路是振荡器相位噪声的主要来源。为了降低尾电流源晶体管闪烁噪声对振荡器相位噪声的影响，采用两组对称分离且工作在亚阈值区域的P型金属氧化物半导体（PMOS）偏置电流源进行尾电流反馈。与传统单个尾电流源相比，该技术具有更好的相位噪声性能。同时，基于对Hajimiri噪声模型的分析，利用尾电流源反馈技术，控制振荡器在振幅达到峰值及零穿越点时的电流大小，以进一步改善相位噪声性能。高Q值谐振器可以显著提高振荡器的整体相位噪声性能，因此，设计采用高Q值微机电系统（MEMS）器件FBAR作为谐振腔，并通过TSMC　180　nm　RF　CMOS工艺完成电路设计。结果表明：该振荡器输出频率为1.93GHz，整体电路功耗为580μW，在1　kHz偏频处相位噪声为-89.7　dBc/Hz，计算得到灵敏值（Factor　Of　Merit,　FOM）为217　dB。