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本发明公开了一种铟单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。本发明通过在CZTSSe薄膜中掺杂In以替代部分Sn原子，改善了薄膜体相缺陷，提高了载流子浓度，使由其制备的太阳电池的短路电流密度、开路电压、填充因子、光电转换效率明显提高，因此在太阳电池方面有较好的应用价值。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201810184412.3
Filing Date： 2018/3/7
Publication Date： 2019/12/31
Pub. No.： CN108400184B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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