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本发明公开任意偏置下的三相电抗器的磁芯损耗测量电路及其方法，三相电抗器具有三个磁芯柱，每个磁芯柱上套装有一绕组，每个绕组具有一上端和一下端，测量电路包括开关频率的交流激励源和偏磁激励源，偏磁激励源的正极与任一绕组的上端连接，偏磁激励源的负极连接该任一绕组的下端，另外两个绕组的下端连接，开关频率的交流激励源的两极分别连接于另外两个绕组的上端。方法为获取对应交流激励绕组的电压波形和电流波形，并进行积分得到该两个交流激励磁芯柱上的磁芯损耗，以同样的方法交换磁芯柱所接的激励源，三次交换得到的磁芯损耗累加并除以2，再减去绕组损耗，得到三相电抗器的总磁芯损耗。本发明具有控制简单、成本低和易于实现等优点。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201610415058.1
Filing Date： 2016/6/14
Publication Date： 2018/11/2
Pub. No.： CN105911364B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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