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本发明属于纳米材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构碳插层MoS2@rGO的制备方法。将hummers方法改进的氧化石墨烯和Mo3O10(C2H10N2)分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L‑半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得碳插层的MoS2纳米片垂直生长在石墨烯表面的复合物。该制备方法简单，重复性好、有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201610212081.0
Filing Date： 2016/4/7
Publication Date： 2017/8/11
Pub. No.： CN105836804B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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