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本发明公开了一种Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Sb掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Sb元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Sb元素的均匀性。本发明具有工艺简单、重复性好、原材料利用率高等优势，不仅能够实现掺杂可控，还能有效优化薄膜结构和提高薄膜的热电性能。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201510704585.X
Filing Date： 2015/10/27
Publication Date： 2018/1/12
Pub. No.： CN105274484B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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30 Days PV： 2
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