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本发明公开了一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制备得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Ge掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Ge元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Ge元素的均匀性。本发明具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势，具有重大的工业应用价值。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201510704624.6
Filing Date： 2015/10/27
Publication Date： 2018/4/13
Pub. No.： CN105200382B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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