Indexed by:
Abstract:
本发明提供一种氧化钨一维纳米材料及其制备方法,长度为几百纳米到几个微米,宽度5-20纳米。将钨单质粉末直接和蒸馏水混合,在高压釜中充分搅拌,反应物在423-478K温度下反应1-30天,然后过滤,在323-373K温度下干燥12-24h得到所述氧化钨一维纳米材料。本发明采用简单的水热方法制备,操作过程简单,原料易得,成本低廉,溶剂无毒无害环境友好,可以大量合成,制备的WO3纳米线性能优越,用途广泛,适合大规模推广,具有显著的经济效益。
Keyword:
Reprint 's Address:
Email:
Patent Info :
Type: 发明授权
Patent No.: CN200810072145.7
Filing Date: 2008/11/18
Publication Date: 2010/12/8
Pub. No.: CN101417818B
公开国别: CN
Applicants: 福州大学
Legal Status: 未缴年费
Cited Count:
SCOPUS Cited Count:
ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All
WanFang Cited Count:
Chinese Cited Count:
30 Days PV: 3
Affiliated Colleges: