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将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜,微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm,研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu^2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响。实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2—3倍,较低的Cu^2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成。
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电化学
ISSN： 1006-3471
Year： 2004
Issue： 2
Volume： 10
Page： 210-214
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