在溶液的pn=2.7,离子浓度比[Sn^2+],[S2O3^2-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60—1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72--0.75V(vsSCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1:1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为P型,电阻率的数量级为10^-3Ω·cm。