Abstract：
在络合剂EDTA存在且溶液的酸度值为2.1,离子浓度比Sn2+∶EDTA∶S2O32-=1∶1∶4条件下,控制沉积电位为-1.00V(vs.SCE)用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积了一系列致密性、均匀度较好的SnS薄膜.在不同温度下对它们进行热退火处理2 h,然后对热退火处理过的薄膜进行X-射线衍射(XRD)分析,得知热退火对其晶体结构影响较大,热退火温度设置为200℃时,薄膜的晶体结构得到很好的改善,晶粒尺寸最大,晶胞参数与标准值最接近.
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Year： 2006
Page： 430-431
Language： Chinese
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