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黄世震 (黄世震.) [1] | 林伟 (林伟.) [2] | 王大伟 (王大伟.) [3]

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

以三氧化钨为基材,通过掺杂制作了半导体型氯化氢气体传感器,研究元件的气敏特性。以钨酸钠和浓盐酸为反应物,采用溶胶-凝胶法,制备出具有特殊结构的三氧化钨。通过XRD、SEM、TEM等微观分析手段,发现该材料具有层片状结构,结构松散,平均粒径约17纳米。研究发现,掺杂适量的氧化铝可以大大提高三氧化钨对氯化氢气体的灵敏度,但元件稳定性以及选择性比较差,通过掺杂少量的氧化锌,虽然降低了元件的灵敏度,却可以大大提高元件的稳定性,适当提高加热电压,可抑制元件对NO2等气体的灵敏度,提高选择性。本文对三氧化钨的气敏机理及特性进行分析。

Keyword:

气体传感器 气敏 氯化氢

Community:

  • [ 1 ] 福建省微电子集成电路重点实验室,福州350002
  • [ 2 ] 福州大学物信学院,福州350002

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功能材料与器件学报

ISSN: 1007-4252

Year: 2008

Issue: 1

Volume: 14

Page: 167-170

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