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采用高温气相法生长Sn02纳米线,扫描电子显微镜和x射线衍射仪分析表明所生长的Sn02纳米线大小均匀,直径约为150nni,长可达10um。结合丝网印刷法转移Sn02,制备成阴极阵列。封接阴极板与荧光屏成后栅型场致发射显示(FED)器件,测试其场致发射性能,分析讨论栅极电压和阳极电压对场发射性能的影响。实验表明后栅型SnO2-FED具有良好的栅极调控作用,在1600V阳极电压和200V栅极电压下工作实现全屏发光,平均发光亮度为560cd/m2,具有潜在的应用前景。
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真空科学与技术学报
ISSN： 1672-7126
Year： 2012
Issue： 3
Volume： 32
Page： 188-191
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