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采用磁控溅射方法制备碳纳米管snO2薄膜,通过分析不同工艺条件下制备的气敏元件在N02气氛中的灵敏度响应特性,以及比较不同的薄膜厚度的气敏元件的性能特性,来研究磁控溅射工艺条件的改变对碳纳米管sn02气敏元件的性能的影响.实验表明:磁控溅射的工艺条件对气敏元件的性能有很大的影响,射频反应溅射碳纳米管SnO2气敏元件有较好的性能,最佳的气敏元件薄膜厚度在30nm左右.
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陶瓷学报
ISSN： 1000-2278
CN： 36-1205/TS
Year： 2008
Issue： 3
Volume： 29
Page： 236-238
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