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随着工艺的不断发展,深亚微米Ic物理设计给了我们很大的挑战,比如在时序收敛、电压降、串扰分析等方面带来的挑战。本文以一块高性能单片机芯片的后端设计流程为例,讲述在0.18μm工艺下后端设计过程中所遇到的问题,以及解决问题的新方案,克服了以往后端设计耗时长的缺陷,在短时间内完成了后端设计。
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中国集成电路
ISSN： 1681-5289
Year： 2013
Issue： 4
Page： 51-56
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