Indexed by：
Abstract：
采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85%,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的异质结器件,表现出明显的整流特性;探讨了Zn(O,S)薄膜厚度对器件I-V特性曲线的影响,当Zn(O,S)薄膜厚度为100nm时,器件具有光响应。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
内蒙古科技与经济
ISSN： 1007-6921
Year： 2016
Issue： 5
Volume： 0
Page： 83-85
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count： -1
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
