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利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对 Cu2O 单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响，并分析了不同氧气流量制备的Cu2O对ZnO-Cu2O异质结I-V特性的影响。研究结果表明：ZnO-Cu2O薄膜异质结样品的I-V曲线具有二极管的整流特性，样品的正向阈值电压随着Cu2O氧气流量的增加而增大。较大正向电流的样品（氧气流量为10.6 sccm）具有较小的串联电阻和泄露电阻，以及较大的载流子浓度。
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电子元件与材料
ISSN： 1001-2028
CN： 51-1241/TN
Year： 2016
Issue： 4
Volume： 35
Page： 25-28
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