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本文基于密度泛函理论计算,研究了F掺杂对单斜BiVO_4体相和表面性质的影响。热力学计算结果表明,无论对于体相还是表面,F均易掺杂到O位,而且不会引起明显弛豫。电子结构计算表明,F掺杂在体相和表面均能在导带底引入自旋极化的能态。这个自旋极化的能态不仅能减小其带隙提高可见光利用率,还能有效捕获光生电子促进光生载流子的分离。H_2O在掺杂表面的吸附研究表明,表面F掺杂能显著增强表面与H_2O之间的氢键作用,从而提高其对H_2O的吸附能力。因此,我们认为F掺杂可能是提高单斜BiVO_4的光催化水分解活性的有效手段之一。
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Year： 2016
Language： Chinese
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