• Complex
  • Title
  • Keyword
  • Abstract
  • Scholars
  • Journal
  • ISSN
  • Conference
成果搜索

author:

林伟 (林伟.) [1] | 黄世震 (黄世震.) [2] | 赖云锋 (赖云锋.) [3]

Indexed by:

CSCD

Abstract:

通过反应溅射 ,以硅基片 (表面上有白金加热电极 )为基底制作H2 S薄膜气敏元件 .实验表明 ,纳米SnO2 对H2 S具有较高的敏感度 ,对干扰气体的选择性较好 .性能测试表明 ,元件的特性与敏感材料的厚度、溅射气压等工艺参数有关系 ,但敏感材料的厚度对元件的特性起着决定性的作用 ,气敏薄膜有一个最佳厚度范围 .通过X射线衍射仪进行材料的微观分析 ,表明SnO2 的平均粒径大小为 8.5nm .

Keyword:

H2S气敏元件 磁控溅射 薄膜

Community:

  • [ 1 ] 福州大学气敏传感器研究所
  • [ 2 ] 福州大学气敏传感器研究所 福建福州350002
  • [ 3 ] 福建福州350002

Reprint 's Address:

Email:

Show more details

Related Keywords:

Related Article:

Source :

福州大学学报(自然科学版)

ISSN: 1000-2243

CN: 35-1337/N

Year: 2003

Issue: 04

Page: 425-429

Cited Count:

WoS CC Cited Count:

SCOPUS Cited Count:

ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All

WanFang Cited Count:

Chinese Cited Count:

30 Days PV: 3

Affiliated Colleges:

Online/Total:830/14100466
Address:FZU Library(No.2 Xuyuan Road, Fuzhou, Fujian, PRC Post Code:350116) Contact Us:0591-22865326
Copyright:FZU Library Technical Support:Beijing Aegean Software Co., Ltd. 闽ICP备05005463号-1