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王文峰 (王文峰.) [1] (Scholars:王文峰) | 章永凡 (章永凡.) [2] (Scholars:章永凡) | 李俊篯 (李俊篯.) [3] | 丁开宁 (丁开宁.) [4] (Scholars:丁开宁)

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Abstract:

用嵌入点电荷的簇为模型,采用B3LYP方法研究了NO在NiO(001)面上不同吸附位置和不同吸附方式的电子结构,并计算了振动频率。结果表明在完整表面上最稳定的吸附方式是N端歪斜吸附在Ni位,这与实验结果相符;而在缺陷表面上,NO以直线方式吸附在角位上最为稳定。振动频率计算表明,NO吸附后NO振动频率红移约50cm-1。我们根据价轨道电子密度图解释了NO吸附后振动频率红移的原因,这个解释完全不同于传统认为的3d对2π的反馈键理论。

Keyword:

NiO(001)面 NO 吸附 电子结构

Community:

  • [ 1 ] 福州大学化学系
  • [ 2 ] 结构化学国家重点实验室
  • [ 3 ] 结构化学国家重点实验室 福州350002
  • [ 4 ] 福州350002

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Source :

结构化学

ISSN: 0254-5861

CN: 35-1112/TQ

Year: 2004

Issue: 04

Page: 435-440,356

0 . 7 3 4

JCR@2004

5 . 9 0 0

JCR@2023

JCR Journal Grade:3

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