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在络合剂EDTA存在且溶液的pH=2.1,沉积电位E=-1.0 V,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/4的条件下,通过改变EDTA的浓度,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.结合X射线衍射和表面形貌分析,表明它们是具有正交结构的SnS多晶薄膜,且薄膜的颗粒小、致密性和均匀度较好;对其Ram an光谱研究也进一步说明了薄膜中的主要成分是SnS.
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福州大学学报(自然科学版)
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2007
Issue： S1
Page： 4-7
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