Abstract：
采用TSMC0.35μm CMOS工艺,基于对传统带隙基准电路的分析,利用MOS管的亚阈特性,设计了一种低压低功耗的带自举的带隙基准电压源。最后的HSPICE仿真结果表明了该电路具有较低的工作电压,较低的功耗和较低的温度系数。
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Source ：
中国集成电路
Year： 2008
Issue： 06
Page： 51-54,66
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