Indexed by：
Abstract：
采用TSMC 0.35um CMOS工艺,基于对传统带隙基准电路的分析,利用MOS管的亚阈特性,设计了一种低压低功耗的带自举的带隙基准电压源.最后的HSPICE仿真结果表明了该电路具有较低的工作电压,较低的功耗和较低的温度系数.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
中国集成电路
ISSN： 1681-5289
CN： 11-5209/TN
Year： 2008
Issue： 6
Volume： 17
Page： 51-54,66
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 4
Affiliated Colleges：
