Abstract：
采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型。随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小。
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Source ：
光电子.激光
Year： 2009
Issue： 03
Volume： 20
Page： 355-358
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