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采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响.
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ISSN： 1006-6268
CN： 11-3670/TN
Year： 2012
Issue： 12
Page： 5-9
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