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利用阳极氧化法制备Ta2O5绝缘介质薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析(EDS)和X射线衍射仪(XRD)研究表明Ta2O5绝缘介质薄膜表面平整,致密,呈非晶态。电击穿场强测试系统研究利用Ta-Ta2O5-Al复合薄膜制备FED器件(MIM结构)的绝缘性,表明薄膜具有较高的耐击穿场强,约为2.3MV/cm,分析Ta2O5的导通机理,主要为肖特基效应和F-N效应。
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功能材料
ISSN： 1001-9731
CN： 50-1099/TH
Year： 2011
Issue： 12
Volume： 42
Page： 2181-2184
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