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[期刊论文]

阳极氧化电压对TiO_2纳米管阵列生长及场发射性能的影响

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author:

洪春燕 (洪春燕.) [1] | 叶芸 (叶芸.) [2] (Scholars:叶芸) | 郭凡 (郭凡.) [3] | Unfold

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

室温下在HF水溶液中,利用阳极氧化法在纯钛表面制备了规则有序的TiO2纳米管阵列,应用场致发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对纳米管阵列表面形貌、断面结构及元素组成进行表征,并对所得样片的场发射性能进行测试,研究了阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列形貌及场发射性能的影响。结果表明:在一定范围内增大氧化电压,可增大纳米管的管径、壁厚和管长,但壁厚变化比较小。随着氧化电压的增大,开启场强先降低后增大。当氧化电压为10V时,所获得的TiO2纳米管阵列开启场强最低,为3.15 V/μm,在6 h内8 V/μm电场下保持了稳定的场发射,电流密度为0.85 mA/cm2。

Keyword:

TiO2纳米管阵列 场发射 开启场强 阳极氧化

Community:

  • [ 1 ] 福州大学物理与信息工程学院
  • [ 2 ] 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

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Source :

真空科学与技术学报

ISSN: 1672-7126

CN: 11-5177/TB

Year: 2013

Issue: 02

Volume: 33

Page: 141-145

Cited Count:

WoS CC Cited Count:

30 Days PV: 1

Online/Total:108/10030702
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