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游玉香 (游玉香.) [1] | 叶芸 (叶芸.) [2] | 林志贤 (林志贤.) [3] (Scholars:林志贤) | 郭太良 (郭太良.) [4] (Scholars:郭太良)

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CQVIP PKU CSCD

Abstract:

通过丝网印刷技术,将碳纳米管(carbon nanotube,CNT)浆料直接转移到CrCuCr薄膜衬底电极、掺Sn的In_2O_3(indium tin oxides,ITO)透明导电薄膜衬底电极和Ag浆导电厚膜衬底电极上,高温烧结后得到CNT阴极,并对CNT阴极进行表面形貌和场发射性能的研究.结果表明,不同衬底电极对CNT阴极场发射性能的影响不一样,CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极、ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极及Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极场发射的开启电场分别为0.99、2.05和2.46V/μm;当电场为3.0V/μm时,它们的亮度分别为2472、1889、587cd/m~2.CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极的场发射性能最优,ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极次之,Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极最差,并根据金属-半导体理论模型分析了原因.

Keyword:

丝网印刷 场发射 碳纳米管 衬底电极

Community:

  • [ 1 ] [游玉香]福州大学
  • [ 2 ] [叶芸]福州大学
  • [ 3 ] [林志贤]福州大学
  • [ 4 ] [郭太良]福州大学

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Source :

功能材料

ISSN: 1001-9731

CN: 50-1099/TH

Year: 2009

Issue: 11

Volume: 40

Page: 1833-1835,1839

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