采用真空热蒸发法在玻璃基片上分别蒸镀一层SnS薄膜和一层Ag薄膜,然后在300℃的真空炉中退火2h后,制备出SnS:Ag薄膜。通过改变银的蒸发电压(60V～70V),以实现不同掺杂浓度的SnS:Ag薄膜。采用XRD对制备的薄膜进行物相分析,结果表明,所制得的薄膜是具有正交结构的SnS多晶薄膜,在(111)晶面上有很强的择优取向,且当银的蒸发电压提高时,薄膜中会出现Ag2S的衍射峰；同时掺杂对SnS薄膜表面形貌有一定的影响。光电性能研究表明,室温下,SnS:Ag薄膜随掺银量的增大,其载流子浓度增大,由银的蒸发电压为60V时的1.271×1015cm-3增大到70V时的1.035×1016　cm-3；而其电阻率减小,由银的蒸发电压为60V时的386Ωcm减小到70V时的107Ωcm；但薄膜的导电类型不变,仍为p型。SnS:Ag薄膜的光学带隙Eg随着Ag掺杂浓度增大呈非线性下降。