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提出一种电容片内集成、高效率升压模式的DC－DC电源管理芯片，较普通结构相比，文中提出的电路结构具有6组2×，3组3×，2组4×升压模型共11种工作模式，并具有低纹波等优点。通过MIM电容与积累型NMOS电容串联的方式，提高单位面积容值，使得总电容面积大幅减小。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺，利用Cadence工具对电路进行仿真验证，所提出自适应开关电容升压电路，在输出电压为3 V时，其效率最高可达到83.6％。在开关频率为20 MHz时，输入电压范围为1～1.8 V，所需总片内集成电容总面积为900μm ×900μm，输出电压纹波＜40 mV。
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电子科技
ISSN： 1007-7820
CN： 61-1291/TN
Year： 2015
Issue： 9
Page： 70-73
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