基于标准0.35μm　CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路.带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点.根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定.采用Cadence　EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60　dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10　μA跳变至200mA(tr=1　μs)时,输出上冲/下冲电压小于100mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70　dB@1　kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA.