Abstract：
用阴极恒电流沉积法制备SnS薄膜。研究了溶液的pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积参数对薄膜组分的影响，得出制备SnS薄膜的比较理想的工艺条件为：pH=2.7,Sn2+:S2O32-=1:5, J=3.0mA·cm-2,t=1.5h.。制备出了成分为Sn0.995S1.005的膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌，用X射线衍射分析了其物相结构，表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜,晶粒大小不一，在200nm~1000nm之间。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
Year： 2004
Language： Chinese
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
