Abstract:
本文从提高可见光利用率入手,首先制备了InVO<,4>/TiO<,2>复合半导体,为降低光生电子—空穴的复合率,在InVO<,4>/TiO<,2>复合半导体上又负载了Pt(IV),经低温煅烧形成Pt(IV)/InVO<,4>/TiO<,2>光催化剂.
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Year: 2004
Page: 140-141
Language: Chinese
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