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通过微电子加工工艺制备了具有Ti/HfOx:Cu NPs/ZnO/ITO结构的阻变存储器,研究铜纳米颗粒对器件阻变性能的影响.研究表明,铜纳米颗粒不仅使器件操作电压减小、 并且更加均一,而且增大了器件高低阻态的电阻值比(开关比),高、 低阻态电阻值更加稳定,表现出优异的耐擦写特性.纳米颗粒的引入还使低阻态的导电由普尔-法兰克发射机制主导转变为欧姆导电细丝主导.进一步研究发现,纳米颗粒增强了局部电场,不仅保证了较小电压下可产生更多的氧空位,还限定了导电细丝的位置.此外,铜纳米颗粒有利于降低器件操作电压并提高其均一性,有助于提高阻态电阻值的稳定性.
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福州大学学报（自然科学版）
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2019
Issue： 4
Volume： 47
Page： 472-476
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