A　CMOS　RF　front-end　for　the　long-term　evolution　(LTE)　direct　conversion　receiver　is　presented.　With　a　low　noise　transconductance　amplifier　(LNA),　current　commutating　passive　mixer　and　transimpedance　operational　amplifier　(TIA),　the　RF　front-end　structure　enables　high-integration,　high　linearity　and　simple　frequency　planning　for　LTE　multi-band　applications.　Large　variable　gain　is　achieved　using　current-steering　transconductance　stages.　A　current　commutating　passive　mixer　with　25%　duty-cycle　LO　improves　gain,　noise　and　linearity.　A　direct　coupled　current-input　filter　(DCF)　is　employed　to　suppress　the　out-of-band　interferer.　Fabricated　in　a　0.13-μm　CMOS　process,　the　RF　front-end　achieves　a　45　dB　conversion　voltage　gain,　2.7　dB　NF,　-7　dBm　IIP3,　and　+60　dBm　IIP2　with　calibration　from　2.3　to　2.7　GHz.　The　total　RF　front　end　with　divider　draws　40　mA　from　a　single　1.2-V　supply.　©　2012　Chinese　Institute　of　Electronics.