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学者姓名：陈金伙
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Complex
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Clean All
Abstract ：
图像之间存在光照变化、旋转、仿射变换,使得局部特征匹配后,误匹配无法避免.在正确匹配过半的前提下,提出一种简化的误匹配去除算法FastRanDSac,用于在极短时间内解决图像匹配对之间误匹配点的问题.初步实验表明,在平移、旋转、尺度缩放、视角以及光照变化的图像中,FastRanDSac能保存近100%的正确匹配对,而运行速度与RANSAC相比有大幅度的提高.
Keyword ：
两次随机模型计算 两次随机模型计算 反向投影 反向投影 误匹配去除 误匹配去除 随机抽样一致算法 随机抽样一致算法
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| GB/T 7714 | 文吉成 , 吴丽君 , 陈金伙 et al. FastRanDSac——一种高效的误匹配检测算法 [J]. | 福州大学学报（自然科学版） , 2017 , 45 (3) : 336-341 . |
| MLA | 文吉成 et al. "FastRanDSac——一种高效的误匹配检测算法" . | 福州大学学报（自然科学版） 45 . 3 (2017) : 336-341 . |
| APA | 文吉成 , 吴丽君 , 陈金伙 , 林培杰 , 程树英 . FastRanDSac——一种高效的误匹配检测算法 . | 福州大学学报（自然科学版） , 2017 , 45 (3) , 336-341 . |
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Abstract ：
为解决图像匹配耗时的问题,提出一种改进的图像匹配方案.在尺度不变特性变换(SIFT)算法的基础上,以特征点邻域灰度值的差熵大小来筛选稳定特征点,减少所需描述及匹配的不稳定特征点的数量,提高算法匹配效率.同时,改进误匹配去除算法,以大幅提高误匹配去除效率.实验结果表明,与SIFT及RANSAC相结合的图像匹配方案,或相关的改进方案相比,本方案可最大程度地保存最终匹配的特征点数量,并提高特征点匹配的实时性、匹配率及正确匹配率.
Keyword ：
SIFT算法 SIFT算法 图像匹配 图像匹配 差熵 差熵 特征点筛选 特征点筛选
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| GB/T 7714 | 吴丽君 , 文吉成 , 陈志聪 et al. 改进SIFT算法实现图像的快速匹配 [J]. | 福州大学学报（自然科学版） , 2017 , 45 (6) : 801-809 . |
| MLA | 吴丽君 et al. "改进SIFT算法实现图像的快速匹配" . | 福州大学学报（自然科学版） 45 . 6 (2017) : 801-809 . |
| APA | 吴丽君 , 文吉成 , 陈志聪 , 陈金伙 , 林培杰 , 程树英 . 改进SIFT算法实现图像的快速匹配 . | 福州大学学报（自然科学版） , 2017 , 45 (6) , 801-809 . |
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Abstract ：
基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路.带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点.根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定.采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60 dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10 μA跳变至200mA(tr=1 μs)时,输出上冲/下冲电压小于100mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70 dB@1 kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA.
Keyword ：
快速瞬态响应 快速瞬态响应 无电容型LDO 无电容型LDO 类密勒补偿 类密勒补偿
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| GB/T 7714 | 赖松林 , 黄淑燕 , 陈金伙 . 一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计 [J]. | 微电子学 , 2016 , 46 (6) : 762-766,771 . |
| MLA | 赖松林 et al. "一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计" . | 微电子学 46 . 6 (2016) : 762-766,771 . |
| APA | 赖松林 , 黄淑燕 , 陈金伙 . 一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计 . | 微电子学 , 2016 , 46 (6) , 762-766,771 . |
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Abstract ：
设计了一种用于UHF RFID标签芯片的低功耗时钟源电路.该时钟源电路采用弛豫振荡器结构,振荡周期由电阻和电容定义.振荡器工作在电源电压1V,偏置电流100 nA时,功耗为0.9 μW,工作温度范围为-20℃～80℃,频率偏离1.92 MHz小于3％,电路设计符合UHFRFID标签系统要求.
Keyword ：
低功耗 低功耗 射频识别 射频识别 时钟源 时钟源 标签芯片 标签芯片 超高频 超高频
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| GB/T 7714 | 安奇 , 陈群超 , 陈金伙 et al. 用于UHF RFID标签芯片的时钟源电路设计 [J]. | 微电子学 , 2015 , 45 (1) : 46-49 . |
| MLA | 安奇 et al. "用于UHF RFID标签芯片的时钟源电路设计" . | 微电子学 45 . 1 (2015) : 46-49 . |
| APA | 安奇 , 陈群超 , 陈金伙 , 黄凤英 , 李文剑 . 用于UHF RFID标签芯片的时钟源电路设计 . | 微电子学 , 2015 , 45 (1) , 46-49 . |
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Abstract ：
传统的逆变器并联方法一般只适用于功率容量一致的逆变器,针对不同容量逆变器的并联方法较少.本文在对几种不同容量逆变器并联方法分析研究的基础上,提出了一种新型的逆变器并联方法.该方法采用电压型逆变器和电流型逆变器混合并联的方式,利用电压型逆变器提供电压基准,电流型逆变器输出电流可以稳定电网电压,实现并联.该方法算法简单,适合大部分的逆变器并联场合,经过仿真和实验证明了其有效性和可行性.
Keyword ：
不同容量 不同容量 混合并联方法 混合并联方法 逆变器 逆变器
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| GB/T 7714 | 陈金伙 , 孙占东 , 林培杰 . 一种新型不同容量逆变器并联方法 [J]. | 微型机与应用 , 2015 , 34 (3) : 34-37 . |
| MLA | 陈金伙 et al. "一种新型不同容量逆变器并联方法" . | 微型机与应用 34 . 3 (2015) : 34-37 . |
| APA | 陈金伙 , 孙占东 , 林培杰 . 一种新型不同容量逆变器并联方法 . | 微型机与应用 , 2015 , 34 (3) , 34-37 . |
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Abstract ：
Indium doped ZnS (ZnS:In) films were prepared on glass substrate using thermal evaporation technology. It was found that the structural, optical and electrical properties of ZnS:In films strongly depend on the substrate temperature (Ts). By X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), transmittance spectroscopy, and electric performance measurements, the effect of Ts on ZnS:In film is studied in detail. It reveals that Ts has important effect on ZnS grain size, crystallinity, lattice disorder, etc., which further leads to the obvious influence on its optical and electrical performance. Under the optimized Ts, the performance, especially the conductivity, achieved in this work is far higher than that reported for other n-type ZnS films. © 2014 Chinese Institute of Electronics.
Keyword ：
Atomic force microscopy Atomic force microscopy Evaporation Evaporation Indium Indium Optical lattices Optical lattices Photoelectricity Photoelectricity Substrates Substrates X ray diffraction X ray diffraction Zinc sulfide Zinc sulfide
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| GB/T 7714 | Li, Wenjian , Chen, Jinhuo , Cheng, Shuying et al. Substrate temperature effects on the structural and photoelectric properties of ZnS:In films [J]. | Journal of Semiconductors , 2014 , 35 (2) . |
| MLA | Li, Wenjian et al. "Substrate temperature effects on the structural and photoelectric properties of ZnS:In films" . | Journal of Semiconductors 35 . 2 (2014) . |
| APA | Li, Wenjian , Chen, Jinhuo , Cheng, Shuying , Wang, Yongshun . Substrate temperature effects on the structural and photoelectric properties of ZnS:In films . | Journal of Semiconductors , 2014 , 35 (2) . |
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Abstract ：
This paper reports a new material, indium-doped ZnS (ZnS:In) film, which is fabricated for the first time to improve its electrical and optical performance. By electron beam evaporation technology and the optimized annealing treatment, high quality ZnS:In film is prepared. XRD indicates that the incorporation of 6 at.% indium atoms into ZnS film causes little lattice deformation. The AFM results imply that large sized particles are compactly dispersed in the ZnS:In layer and results in an unsmooth surface. Electrical and optical property tests show that the resistivity of ZnS film is greatly decreased to 4.46 × 10-2Ω·cm and the optical transmittance is improved to 85% in the visible region. Comparing with the results in other literatures, significant progress in electrical/optical performance has been made in this paper. © 2014 Chinese Institute of Electronics.
Keyword ：
Indium Indium Optical films Optical films Optical properties Optical properties Semiconductor materials Semiconductor materials Thin films Thin films Zinc sulfide Zinc sulfide
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| GB/T 7714 | Chen, Jinhuo , Li, Wenjian . Significant improvement of ZnS film electrical and optical performance by indium incorporation [J]. | Journal of Semiconductors , 2014 , 35 (9) . |
| MLA | Chen, Jinhuo et al. "Significant improvement of ZnS film electrical and optical performance by indium incorporation" . | Journal of Semiconductors 35 . 9 (2014) . |
| APA | Chen, Jinhuo , Li, Wenjian . Significant improvement of ZnS film electrical and optical performance by indium incorporation . | Journal of Semiconductors , 2014 , 35 (9) . |
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Abstract ：
为了实现对太阳能 LED 路灯的远程管理，同时达到低功耗、高稳定性、低复杂度的要求，提出了一个基于 ZigBee 网络和 RS-485总线的太阳能路灯远程控制系统。该系统使用 ZigBee 技术对太阳能路灯进行自组网，并采用 RS-485总线作为补充。基于以上两种网络，上位机最终实现了对太阳能路灯的远程控制与管理。主要介绍了该系统的总体设计方法，软、硬件实现，以及在实际环境中的测试结果。
Keyword ：
RS-485 RS-485 ZigBee技术 ZigBee技术 太阳能LED路灯 太阳能LED路灯
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| GB/T 7714 | 王衍龙 , 章杰 , 林培杰 et al. 基于双组网模式的太阳能路灯控制系统 [J]. | 微型机与应用 , 2014 , (5) : 59-61,66 . |
| MLA | 王衍龙 et al. "基于双组网模式的太阳能路灯控制系统" . | 微型机与应用 5 (2014) : 59-61,66 . |
| APA | 王衍龙 , 章杰 , 林培杰 , 赖松林 , 陈金伙 , 程树英 . 基于双组网模式的太阳能路灯控制系统 . | 微型机与应用 , 2014 , (5) , 59-61,66 . |
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Abstract ：
This article reports on one novel material, In-doped ZnS (ZnS: In) film, which was prepared on glass substrate using electron beam evaporation method. By the incorporation of In atoms and the proper annealing treatment, ZnS: In performance was significantly improved, and In doping effect on the structure, photoluminescence (PL), transmittance spectra, bandgap, electrical properties are studied in detail. Experiment results show that 6 at.% In density is the proper doping level to significantly decrease the resistivity, and slight improve the optical transmittance, making ZnS: In one potential transparent conductor, which has not been reported up to now. (C) 2013 The Electrochemical Society. All rights reserved.
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| GB/T 7714 | Chen, J. H. , Li, W. J. , Cheng, S. Y. . High-Performance ZnS: In Film and In Doping Effect on Its Structural, Optical and Electrical Properties [J]. | ECS SOLID STATE LETTERS , 2013 , 2 (12) : P120-P122 . |
| MLA | Chen, J. H. et al. "High-Performance ZnS: In Film and In Doping Effect on Its Structural, Optical and Electrical Properties" . | ECS SOLID STATE LETTERS 2 . 12 (2013) : P120-P122 . |
| APA | Chen, J. H. , Li, W. J. , Cheng, S. Y. . High-Performance ZnS: In Film and In Doping Effect on Its Structural, Optical and Electrical Properties . | ECS SOLID STATE LETTERS , 2013 , 2 (12) , P120-P122 . |
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Abstract ：
拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究NA(有效杂质浓度)和Ts(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下“设计余量”.
Keyword ：
优化措施 优化措施 参数调节 参数调节 开关比 开关比 Ⅳ方程 Ⅳ方程 薄膜晶体管 薄膜晶体管
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| GB/T 7714 | 陈金伙 , 李文剑 , 程树英 . OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析 [J]. | 福州大学学报（自然科学版） , 2013 , 41 (5) : 858-861,886 . |
| MLA | 陈金伙 et al. "OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析" . | 福州大学学报（自然科学版） 41 . 5 (2013) : 858-861,886 . |
| APA | 陈金伙 , 李文剑 , 程树英 . OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析 . | 福州大学学报（自然科学版） , 2013 , 41 (5) , 858-861,886 . |
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