钙钛矿太阳能电池(PSCs)的电子收集特性是影响器件性能的关键因素之一.化学浴沉积法制备的二氧化锡(SnO2)是PSCs常见的电子传输层材料,但是,其表面常存在大量氧空位缺陷,在SnO2/钙钛矿埋底界面处造成非辐射复合损失.本文利用四氯化锡(SnCl4)和铬酸铵((NH4)2CrO4)双分子钝化PSCs埋底界面,成功制备了光电转换效率达到23.71％的器件.SnCl4水解后在SnO2薄膜上生成小尺寸的SnO2颗粒,形成平整的表面结构;(NH4)2CrO4作为氧化剂,产生p型半导体Cr2O3超薄层,与SnO2构成p-n结,补偿SnO2表面多余的氧空位,减少埋底界面处的非辐射复合,提高电荷的提取效率.同时,在双分子钝化的SnO2上制备的钙钛矿薄膜晶粒尺寸增大,缺陷密度降低.