由于多相光催化反应大多发生在催化剂的表面和界面上,半导体的表面能和化学吸附作用对光生载流子的迁移和转化,以及氧化还原反应的速率和选择性都起着关键性的作用。反应物的活化和转化不仅取决于能带带边位置的匹配,还取决于表面吸附态的电子结构和反应路径等因素[1-2]。不同吸附态的反应物由于电子结构上的差异,供电子和受电子能力不同,形成的中间物种也会具有不同的稳定程度,影响反应的最终转化以及催化剂的活性稳定性。因此,光催化材料的反应效率不仅取决于半导体材料的本体电子结构,也取决于与反应物直接接触和发生作用的界面活性位点。制备具有容易吸附反应物分子和脱附产物分子的材料将有助于光催化反应的进行,而通过控制材料的微结构来提高催化性能已成为光催化领域的一个热点研究方向,如构建表面缺陷位、多级分层形貌以及高活性(高能)晶面等。