本文采用离子束溅射(IBS)技术和铸造合金靶材,在水冷衬底上制备SmFe超磁致伸缩非晶薄膜,研究了溅射工艺参数、衬底状态、薄膜应力以及真空退火处理对SmFe超磁致伸缩功能膜的饱和及低场磁致伸缩性能的影响。结果表明,在设定的溅射方位范围内,可获得表面平整光滑、组织致密、与衬底结合良好的非晶态SmFe膜材;成膜生长速率随水平溅射方位角的增加而增大,　而沿垂直溅射方位上的生长速率基本保持一致;对于轧制成型的金属基片材料,当衬底长轴沿不同的方向取向时,溅射沉积所致膜材的磁伸性能有较大的差异;真空退火处理超过改变SmFe薄膜的微结构、应力状态及磁性能,有效地改善了SmFe膜材的饱和磁致伸缩性能,并大幅度提高其低场磁敏特性。