由于在-55～150℃存在正交-四方和四方-立方相变，相变对应的尖锐介电峰使BaTiO_3陶瓷介电性能难以满足X8R温度稳定性要求。本文采用50　nm的纳米BaTiO_3粉体和少量堇青石(MgO-Al_2O_3-SiO_2,　MAS)玻璃，制备了满足X8R介电温度特性的BaTiO_3基细晶陶瓷。结果表明，随着MAS玻璃的加入，BaTiO_3基陶瓷的室温晶体结构从四方相转变成赝立方相，平均晶粒尺寸从纯BaTiO_3陶瓷的1.904μm显著降低到添加0.5%(质量分数)MAS玻璃的BaTiO_3基陶瓷的183　nm。与此同时，BaTiO_3基陶瓷虽然介电常数有所下降，但是介电损耗和介电性能的温度稳定性大幅度改善。其中添加0.5%MAS玻璃的BaTiO_3基细晶陶瓷介电性能为：在1　kHz时室温介电常数为984,介电损耗为0.006　5,满足X8R温度特性要求。