Abstract：
Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)材料因其廉价、稳定、无毒而受到了光伏产业广泛的关注[1,2],然而其器件结构中CdS缓冲层所含有的Cd2+具有高毒性[3],这严重限制了CZTSSe太阳电池的发展。为此,我们开发了使用磁控溅射工艺沉积的Zn1-xSnxO(ZTO)薄膜,用其取代CdS缓冲层,以制备无毒环保的柔性CZTSSe器件。
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Year： 2023
Page： 238-238
Language： Chinese
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