Indexed by：
Abstract：
微型发光二极管(Micro-LED)显示芯片尺寸减小带来了侧壁效应,导致其正向光提取效率(LEE)降低,实现高光效Micro-LED的显示芯片结构仍有待深入研究.从仿真角度出发,基于有限差分时域法探索高光效GaN基Micro-LED的优化模型.首先,构建垂直侧壁GaN基Micro-LED初始叠层结构,定量分析侧壁效应对LEE的影响.然后,探索Micro-LED多量子阱有源层位置变化对出光效果的影响,分析不同侧壁倾角条件下的Micro-LED结构模型,讨论底部反射材料对LEE的影响,获得初步优化的GaN基Micro-LED模型参数.最后,通过设计顶部透射光栅进一步提升LEE,并探讨光栅周期、光栅高度和占空比对LEE的影响.结果表明,优化后的GaN基Micro-LED的整体LEE较初始结构提升了 2.42倍.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
光学学报
ISSN： 0253-2239
Year： 2022
Issue： 15
Volume： 42
Page： 196-205
1 . 6
JCR@2022
1 . 6 0 0
JCR@2023
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 18
Affiliated Colleges：
