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[专利]

基于深度学习的MLC型NAND闪存Polar-RNNA量化器的优化方法

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Inventor:

陈平平 (陈平平.) [1] (Scholars:陈平平) | 罗旭 (罗旭.) [2] | 李润泽 (李润泽.) [3]

Indexed by:

incoPat

Abstract:

本发明涉及一种基于深度学习的MLC型NAND闪存Polar‑RNNA量化器的优化方法,包括以下步骤:步骤S1 : 将MLC闪存检测问题转换为深度学习问题,并基于神经网络,得到3个硬判决读取阈值;步骤S2 : 基于得到的3个硬判决读取阈值,扩展得到6个软判决读取阈值;步骤S3 : 构建LLR映射表,并基于LLR映射表,得到MLC闪存新的的对数似然比软信息;步骤S4 : 对称化MLC闪存信道, 并进行密度进化处理;步骤S5 : 基于遗传算法,优化软判决读取阈值,获取最优的最优量化区间。本发明避免了MLC闪存信道建模的艰巨任务,即可直接将极化码用于MLC闪存信道,有效提高MLC闪存可靠性。

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Patent Info :

Type: 发明申请

Patent No.: CN202110101188.9

Filing Date: 2021-01-26

Publication Date: 2023-09-01 00:00:00

Pub. No.: CN112929033B

公开国别: 中国

Applicants: 福州大学

Legal Status: 授权

Cited Count:

WoS CC Cited Count:

30 Days PV: 13

Online/Total:13/10071890
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